内部flash介绍

开发步骤

（1）解锁和锁定 前面我们介绍了在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必 须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列（0X45670123 和 0XCDEF89AB）,固件库 提供了一个解锁函数，其实就是封装了对 FLASH_KEYR 寄存器的操作。 解锁库函数是： void FLASH_Unlock(void); 在对 FLASH 写操作完成之后，我们要锁定 FLASH，使用的库函数是： void FLASH_Lock(void); （2）写操作 FLASH 解锁后，我们就可以开始写操作，固件库内提供了 3 个 FLASH 写函数： FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data); 从函数名来看也很好理解这几个函数的功能，分别是在对应的地址 Address 内写入字，半字，用户选项字节。这里需要说明， 32 位字节写入实际上是写入 的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的 编程每次必须写入 16 位并不矛盾。 写入 8 位实际也是占用的两个地址了，跟 写入 16 位基本上没啥区别。这些函数的内部实现过程，实际就是按照我们介绍 的编程步骤来实现的。有兴趣的同学可以进入函数体看看，这样会加深理解。 （3）擦除操作 在对 FLASH 写操作的时候，还会用到 FLASH 擦除操作，固件库内也提供了 3 个 FLASH 擦除函数： FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address); FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void); FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void); 对于前面两个函数比较好理解，第一个函数是页擦除函数，根据页地址擦除 特定的页数据，第二个函数是擦除所有的页数据，第三个函数是擦除用户选择字 节数据。 （4）获取 FLASH 状态 在对 FLASH 进行读写及擦除操作时，我们可能需要获取 FLASH 当前的状态， 获取 FLASH 状态主要调用的函数是： FLASH_Status FLASH_GetStatus(void); 返回值是通过枚举类型定义的： 1. typedef enum 2. { 3. FLASH_BUSY = 1,//忙 4. FLASH_ERROR_PG,//编程错误 5. FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误 6. FLASH_COMPLETE,//操作完成 7. FLASH_TIMEOUT//操作超时 8. }FLASH_Status; 从这里面我们可以看到 FLASH 操作的几个状态。 （5）等待操作完成 在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后 读操作才能正确地进行；即在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取 操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。 使用的函数是： FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout); 口参数为等待时间， 返回值是 FLASH 的状态， 这个很容易理解，这个函 数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。 （6）读取 FLASH 指定地址数据 读取 FLASH 指定地址的数据函数固件库并没有提供，因此这一步操作我们 需要自己编写，其实很简单，通过 C 语言指针即可完成，这里我们提供一个从指 定地址读取一个字的函数： 1. //读取指定地址的半字(16 位数据) 2. //faddr:读地址(此地址必须为 2 的倍数!!) 3. //返回值:对应数据. 4. vu16 STM32_FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr) 5. { 6. return *(vu16*)faddr; 7. } 通过以上几个步骤的操作，我们就可以对 STM32F1 内部 FLASH 进行读写数据 了

in_flash.h+in_flash.c

#ifndef _in_flash_H
#define _in_flash_H

#include "system.h"


//用户根据自己的需要设置
#define STM32_FLASH_SIZE 512      //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)

//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000     //STM32 FLASH的起始地址
 
vu16 STM32_FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr); 
void STM32_FLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);        //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STM32_FLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);           //从指定地址开始读出指定长度的数据
                       


#endif

#include "in_flash.h"


//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
vu16 STM32_FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
    return *(vu16*)faddr; 
} 

//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数   
void STM32_FLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{                       
    u16 i;
    for(i=0;i<NumToWrite;i++)
    {
        FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
        WriteAddr+=2;//地址增加2.
    }  
}

//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
    #define STM32_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else 
    #define STM32_SECTOR_SIZE    2048
#endif         
u16 STM32_FLASH_BUF[STM32_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STM32_FLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)    
{
    u32 secpos;       //扇区地址
    u16 secoff;       //扇区内偏移地址(16位字计算)
    u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)       
     u16 i;    
    u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
    if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
    FLASH_Unlock();                        //解锁
    offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;        //实际偏移地址.
    secpos=offaddr/STM32_SECTOR_SIZE;            //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    secoff=(offaddr%STM32_SECTOR_SIZE)/2;        //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    secremain=STM32_SECTOR_SIZE/2-secoff;        //扇区剩余空间大小   
    if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
    while(1) 
    {    
        STM32_FLASH_Read(secpos*STM32_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STM32_FLASH_BUF,STM32_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
        for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
        {
            if(STM32_FLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)
                break;//需要擦除        
        }
        if(i<secremain)//需要擦除
        {
            FLASH_ErasePage(secpos*STM32_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
            for(i=0;i<secremain;i++)//复制
            {
                STM32_FLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];      
            }
            STM32_FLASH_Write_NoCheck(secpos*STM32_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STM32_FLASH_BUF,STM32_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
        }
        else 
            STM32_FLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                    
        if(NumToWrite==secremain)
            break;//写入结束了
        else//写入未结束
        {
            secpos++;                //扇区地址增1
            secoff=0;                //偏移位置为0      
               pBuffer+=secremain;      //指针偏移
            WriteAddr+=secremain;    //写地址偏移       
               NumToWrite-=secremain;    //字节(16位)数递减
            if(NumToWrite>(STM32_SECTOR_SIZE/2))
                secremain=STM32_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
            else 
                secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
        }     
    }    
    FLASH_Lock();//上锁
}

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STM32_FLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)       
{
    u16 i;
    for(i=0;i<NumToRead;i++)
    {
        pBuffer[i]=STM32_FLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
        ReadAddr+=2;//偏移2个字节.    
    }
}

main.c

#include "stm32f10x.h"
#include "led.h"
#include "system.h"
#include "SysTick.h"
#include "beep.h"
#include "key.h"
#include "exti.h"
#include "time.h"
#include "pwm.h"
#include "usart.h"
#include "stdio.h"
#include "iwdg.h"
#include "wwdg.h"
#include "input.h"
#include "touch_key.h"
#include "wkup.h"
#include "adc.h"
#include "adc_temp.h"
#include "lsens.h"
#include "dac.h"
#include "dma.h"
#include "rtc.h"
#include "at24cxx.h"
#include "i2c.h"
#include "ds18b20.h"
#include "hwjs.h"
#include "rs485.h"
#include "can.h"
#include "tftlcd.h"
#include "picture.h"
#include "spi.h"
#include "flash.h"
#include "in_flash.h"



#define STM32_FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000        //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

const u8 text_buf[]="www.prechin.net";
#define TEXTLEN sizeof(text_buf)


int main()
{
    u8 i=0;
    u8 key;
    u8 read_buf[TEXTLEN];
    
    SysTick_Init(72);
    NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);  //中断优先级分组 分2组
    LED_Init();
    USART1_Init(115200);
    TFTLCD_Init();            //LCD初始化
    KEY_Init();
    
    FRONT_COLOR=BLACK;
    LCD_ShowString(10,10,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"PRECHIN STM32F1");
    LCD_ShowString(10,30,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"www.prechin.net");
    LCD_ShowString(10,50,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"STM32_Flash Test");
    LCD_ShowString(10,70,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"K_UP:Write   KEY1:Read");
    
    FRONT_COLOR=RED;
    LCD_ShowString(10,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Write:");
    LCD_ShowString(10,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Read :");
    
    while(1)
    {
        key=KEY_Scan(0);
        if(key==KEY_UP_PRESS)
        {
            STM32_FLASH_Write(STM32_FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)text_buf,TEXTLEN);
            printf("写入数据为：%s\r\n",text_buf);
            LCD_ShowString(10+6*8,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,(u8 *)text_buf);
        }
        if(key==KEY1_PRESS)
        {
            STM32_FLASH_Read(STM32_FLASH_SAVE_ADDR,(u16 *)read_buf,TEXTLEN);
            printf("读取数据为：%s\r\n",read_buf);
            LCD_ShowString(10+6*8,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,read_buf);
        }
        
        i++;
        if(i%20==0)
        {
            LED1=!LED1;
        }
        
        delay_ms(10);
            
    }
}