深入解析STM32 GPIO的工作原理及应用

0. 实验平台

基于STM32F407ZG

1. GPIO 简介

1.1 简介

GPIO全称:General Purpose Input Output,即通用输入输出端口,一般用来采集外部器件的信息或者控制外部器件工作,即输入输出

1.2 STM32 的 GPIO 特点

  1. 不同型号,IO口数量可能不一样,可通过选型手册快速查询
  2. 快速翻转,每次翻转最快只需要两个时钟周期(F1最高速度可以到50Mhz)
  3. 每个IO口都可以做中断
  4. 支持 8 种工作模式(后面会详解)

1.3 STM32 的 GPIO 电气特性

  1. STM32 的工作电压:2 V ≤ VDD ≤ 3.6 V
  2. GPIO 的识别范围:COMS 端口:
    -0.3 V ≤ VIL ≤ 1.164 V
    1.833 V ≤ VIH ≤ 3.6 V
  3. 输出电流:单个 GPIO 最大 25mA

2. STM32F4 端口结构

STM32F1 系列与 F4 有细微的差别,但是原理都是互通的
下图可以在 STM32F4xx 手册中的 GPIO 章节找到

  1. 保护二极管,保护接入电路的电压不会超过可承受的范围
  2. 上下拉电阻,通常阻值在 30-50KΩ ,是一种弱上下拉(电流很小,不具备驱动能力)
  3. 施密特触发器,可以使得非方波信号转为方波信号
  4. P-MOS & N-MOS 管

下面会详解 施密特触发器 和 P-MOS & N-MOS 管

2.1 施密特触发器

施密特触发器就是一种整形电路,可以将非标准方波整形成方波,特点如下

  • 当输入电压高于正向阈值电压,输出为高;
  • 当输入电压低于负向阈值电压,输出为低;
  • 当输入在正负向阈值电压之间,输出不改变
  • 2.2 P-MOS & N-MOS 管

    MOS 管是压控型元件,通过控制栅源电压( Vgs )来实现导通或关闭



    其中,G是栅极,S是源极,D是漏极
    对于 P-MOS:Vgs<0,导通
    对于 N-MOS:Vgs>0,导通

    3. GPIO 的 8 种工作模式

    GPIO8 种模式 特点及应用
    输入浮空 输入用,完全浮空,状态不定
    输入上拉 输入用,用内部上拉,默认是高电平
    输入下拉 输入用,用内部下拉,默认是低电平
    模拟功能 ADC、DAC
    开漏输出 软件 IIC 的 SDA、SCL 等
    推挽输出 驱动能力强,25mA,通用输出
    开漏式复用功能 片上外设功能(硬件 IIC 的 SDA、SCL 引脚等)
    推挽式复用功能 片上外设功能(SPI 的 SCK、MISO、MOSI引脚等)

    3.1 输入浮空

    电路状态:

  • 上拉 /下拉电阻断开
  • 施密特触发器打开
  • 输出被禁止。
  • P-MOS 和 M-MOS 管不导通
  • 电路图:

    适用场景: IO 口的电平完全是由外部电路决定。如果 IO 引脚没有连接其他的设备,那么检测其输入电平是不确定的。该模式可以用于检测外部引脚电平的情况(如按键,但是更常用的方法是设置为输入下拉或者上拉模式)

    3.2 输入上拉

    电路状态:

  • 上拉电阻接通
  • 下拉电阻断开
  • 施密特触发器打开
  • 输出被禁止
  • P-MOS 和 M-MOS 管不导通
  • 电路图:

    适用场景: IO 口的电平默认状态为高电平,但是外部有低电平输入的时候还是可以被读取到

    3.3 输入上拉

    电路状态:

  • 上拉电阻断开
  • 下拉电阻接通
  • 施密特触发器打开
  • 输出被禁止
  • P-MOS 和 M-MOS 管不导通
  • 电路图:

    适用场景: == IO 口的电平默认状态为低电平==,但是外部有高电平输入的时候还是可以被读取到

    3.4 模拟功能

    电路状态:

  • 上拉 /下拉电阻断开
  • 施密特触发器关闭
  • 输出被禁止
  • P-MOS 和 M-MOS 管不导通
  • 电路图(更正:蓝色框中为输入部分):

    适用场景: 该模式用于 ADC 采集或者 DAC 输出,或者低功耗下省电

    3.5 开漏输出

    电路状态:

  • 上拉 /下拉电阻根据寄存器的值决定是否导通
  • 施密特触发器打开
  • 可以通过数据寄存器访问 IO 状态
  • P-MOS 管始终不激活
  • 输出寄存器中输入 0 会激活 M-MOS 管
  • 电路图(更正:蓝色框中为输入部分):


    电路图解析:
    开漏模式下,P-MOS 管是一直截止的,所以 P-MOS 管的栅极一直接 VSS。

    如果输出数据寄存器设置为 0 时,经过“输出控制”的逻辑非操作后,输出逻辑 1 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到 VSS,即输出低电平。

    如果输出数据寄存器设置为 1 时,经过“输出控制器”的逻辑非操作后,输出逻辑 0 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会截止。因为 P-MOS 管是一直截止的,使得 I/O 引脚呈现高阻态,即不输出低电平,也不输出高电平。因此要 I/O 引脚输出高电平就必须接上拉电阻。这时可以接内部上拉电阻,或者接一个外部上拉电阻。由于内部上拉电阻的阻值较大,所以只是“弱上拉”。需要大电流驱动,需要接外部的上拉电阻。

    此外,上拉电阻具有线与特性,即如果有很多开漏模式的引脚连在一起的时候,只有当所有引脚都输出高阻态,电平才为 1,只要有其中一个为低电平时,就等于接地,使得整条线路都为低电平 0。IIC 通信( IIC_SDA)就用到这个原理。

    另外在开漏输出模式下,施密特触发器是打开的,所以 IO 口引脚的电平状态会被采集到输入数据寄存器中,如果对输入数据寄存器进行读访问可以得到 IO 口的状态。也就是说开漏输出模式下,我们可以对 IO 口进行读数据。

    特点和适用场景:它只能输出低电平 Vss 或者高阻态,常用于软件 IIC 的 SDA、SCL 等

    3.6 推挽输出

    电路状态:

  • 上拉 /下拉电阻根据寄存器的值决定是否导通
  • 施密特触发器打开
  • 可以通过数据寄存器访问 IO 状态
  • P-MOS 管和 N-MOS 管通过输出寄存器的值来决定是否导通
  • 电路图(更正:蓝色框中为输入部分):

    电路图解析:

    如果输出数据寄存器设置为 0 时,经过“输出控制”的逻辑非操作后,输出逻辑 1 到 P-MOS 管的栅极,这时 P-MOS管就会截止,同时也会输出逻辑 1 到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到引脚接到 VSS,即输出低电平。

    如果输出数据寄存器设置为 1 时,经过“输出控制”的逻辑非操作后,输出逻辑 0 到到 N-MOS 管的栅极,这时 N-MOS 管就会截止,同时也会输出逻辑 0 到 P-MOS 管的栅极,这时 P-MOS 管就会导通,使得 I/O 引脚接到引脚接到 VDD,即输出高电平。

    推挽输出模式下,P-MOS 管和 N-MOS 管同一时间只能有一个管 MOS 管是导通的。当引脚高低电平切换时,两个管子轮流导通,一个负责灌电流,一个负责拉电流,使其负载能力和开关速度都有很大的提高。

    另外在推挽输出模式下,施密特触发器也是打开的,可以读取IO口的电平状态。由于推挽输出模式输出高电平时,是直接连接VDD ,所以驱动能力较强,可以做电流型驱动,驱动电流最大可达 25mA。该模式也是最常用的输出模式。

    特点和适用场景:可以输出高电平和低电平,最大输出 25mA 的电流,可以用来驱动一些外设如 LED 灯等

    3.7 开漏式复用

    电路状态:

  • 上拉 /下拉电阻根据寄存器的值决定是否导通
  • 施密特触发器打开
  • 可以通过数据寄存器访问 IO 状态
  • P-MOS 管始终不激活
  • 引脚的状态由外设决定, 0 会激活 M-MOS 管
  • 电路图(更正:蓝色框中为输入部分):

    适用场景:片上外设功能(硬件IIC 的SDA、SCL引脚等)

    3.8 推挽式复用

    电路状态:

  • 上拉 /下拉电阻根据寄存器的值决定是否导通
  • 施密特触发器打开
  • 可以通过数据寄存器访问 IO 状态
  • P-MOS 管和 N-MOS 管通过外设来决定是否导通
  • 电路图(更正:蓝色框中为输入部分):

    适用场景:片上外设功能(SPI 的SCK、MISO、MOSI引脚等)

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