代码收藏家 深入了解MOS管的工作原理及区分方法
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MOS管的工作原理和区分
1、MOS管的概念
mos管又称绝缘性场效应管，全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（简称mos管），它是利用绝缘栅极下的p型区与源漏之间的扩散电流和电场在垂直方向上的不同导电特性来工作的。
2、MOS管的结构
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上加上金属和一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。
同样用上述相同的方法，在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道(PNP型)增强型MOS管。下图分别是N沟道和P沟道MOS管道结构图和代表符号。
3、MOS管的三个引脚
3.1、G极
G极 栅极，不用说比较好认
3.2、S极
S极 源极，不论是p沟道还是N沟道，两根线相交的就是
3.3、D极
D极 漏极，不论是p沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
3.4、使用万用表判断
3.4.1、判定栅极G
将万用表拨至欧姆档的1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。
3.4.2、判定源极S、漏极D
在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
4、MOS管的分类
4.1、分类
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：MOS管又分耗尽型与增强型。
所以MOS场效应晶体管分：N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。四种MOS管的结构分别如下图：
4.2、N沟道和P沟道的区别
4.3、MOS的种类判别
4.3.1、判断MOS管的三个极
先判定MOS的三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。S极，两根线相交的极就是S极。D极，而单独引线的就是D极
4.3.2、判断是沟道类型
4.3.3、选择NMOS，还是PMOS
5、MOS管作用
MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
6、MOS管的使用
6.1、作为开关管
6.1.1、导通条件
6.1.2、多少伏导通
7、电流方向
NMOS管：D极输入，S极输出，D->S
PMOS管： S极输入，D极输出，S->D
基本上和中间箭头方向相反
8、电压
漏源极电压Vds
栅源极电压Vgs
栅极导通电压Vgs(TH)：MOS管开启电压
极限电压：Vgs，Vds
驱动电压：Vgs，尽量越大越好，越大导通电阻Rds(on)越小
9、MOS管和三极管的区别
9.1、区别
9.2、三极管的优点
参考连接
http://www.dzkfw.com.cn/Article/icknows/4442.html
https://blog.csdn.net/Li_989898/article/details/120311499
https://blog.csdn.net/KUAIJIEXIN/article/details/122363676
https://blog.csdn.net/qq_44915792/article/details/124767520
