模拟电子知识总结:三极管原理与应用

文章目录

  • 一、三极管是什么?
  • 二、发展历史
  • 三、结构与原理
  • 1、内部结构
  • 2、工作原理
  • 四、伏安特性
  • 1、三极管输入特性
  • 2、三极管的输出特性
  • 五、答疑
  • 1、把两个二极管背靠背焊接在一起,能否当三极管用?
  • 2、为什么VB要大于一个电压阈值,三极管才能导通?
  • 3、VBE一定时,VCE增加到一定值,为什么IC就几乎不变了?
  • 4、三极管是电流控制型器件体现在哪里?
  • 5、为什么硅管比锗管普遍?
  • 6、NPN与PNP的区别?
  • 六、应用
  • 1、三极管开关
  • 2、电流放大
  • 参考资料

  • 一、三极管是什么?

    具有三个引脚的器件其实都可以称为三极管,本文讨论的三极管特指双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor),它是一种具有电流放大作用的流控器件。

    二、发展历史

    1947年,世界上第一个晶体管于贝尔实验室诞生。发明它的3位博士——巴丁、布莱顿和肖克莱因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
    世界上第一个三极管
    晶体管的诞生标志着电子管时代的终结,世界从此进入晶体管的时代!

    三、结构与原理

    1、内部结构

    三极管可以想象为一对二极管的P区相连,与二极管不同的是,三极管的三个区掺杂浓度是不一样的,发射区(Emitter)掺杂浓度远高于基区(Base)和集电区(Collector),集电区的掺杂浓度最低。

    故三个区的掺杂浓度大小关系为:E>>B>C。

    B区很薄,为什么?为了让发射区的自由电子更容易进入集电区。

    B区浓度很低,为什么?是为了形成更小的基极电流。这样才能有更多的自由电子流向集电区。
    B区浓度很高的话,发射区的自由电子进入基区流走就会很容易,这样进入集电区的电子就少了。

    E区的浓度高,为什么?是为了保证有足够多的自由电子进入BC区。

    2、工作原理

    首先给CE之间加电压,无论正接还是反接都不能导通,因为从宏观上看,三极管相当于两个背对背的二极管。


    为了让CE导通,我们给BE接上电压。


    在BE间电压的带动下,E区的自由电子源源不断流向B区。然而B区掺杂浓度很低且B区很薄,基区短时间内吸收不了这么多电子,只有一少部分电子与空穴复合形成基极电流,而大部分被吸引到了C区,形成集电极电流。

    基极电流越大,流到基区的自由电子越多,更多的自由电子流向集电极,形成更大的集电极电流。这就是三极管小电流控制大电流的原理

    四、伏安特性

    1、三极管输入特性

    即VCE不变,iB与VBE之间的关系,由于BE相当于一个二极管,故三极管的输入特性与二极管的正向特性相似:当VBE<0.7V时,IB增长缓慢,当VBE>0.7V时,IB呈指数增加。

    2、三极管的输出特性

    即iB不变时,IC与VCE之间的关系。

    当Ib为0时(或VB<0.7V),三极管截止。VCE再大,IC始终近似为0。


    如下图所示,VB=5V,VCC=0V,此时相当于阀门已经打开,但水箱里没有水,此时三极管处于饱和状态。逐渐增大VCC电压(但VCE<VBE),水箱中开始有了水,此时Vce和Ic都随着VCC的增加而增加。在此期间Ic变化很大,Vce变化很小。


    VCC继续增大,当VCE超过0.7V,此时Vc>Vb(对硅管而言是如此),三极管进入放大状态,此时Vce变化加剧,Ic则不怎么变化,此时Ic ≈(100~200)Ib。


    如果VCC进一步增大,三极管被击穿。

    怎么知道三极管能承受多大电压呢?查数据手册。

    五、答疑

    1、把两个二极管背靠背焊接在一起,能否当三极管用?

    答:不能,因为B区太厚,电子还没穿过就被复合了。

    2、为什么VB要大于一个电压阈值,三极管才能导通?

    答:因为BE相当于组成一个PN结,PN结在扩散和漂移作用下形成一个内建电场,该电场电势差即为阈值电压,只有高于此阈值,电子才有足够的能量跨越势垒区形成电流,有了电流,三极管也才能导通。
    对于硅,阈值电压为0.6V~0.8V;
    对于锗,阈值电压为0.2V~0.3V;

    3、VBE一定时,VCE增加到一定值,为什么IC就几乎不变了?

    答:因为在VBE的作用下,被带动的电子是一定的,VCE再大,也最多使全部的被带动电子(还要减去IB)流向C区。因此VCE大到一定程度,IC就几乎不变了。

    4、三极管是电流控制型器件体现在哪里?

    答:(1)只有产生了基极电流(光有电压还不行,一定得产生电流),三极管才会导通
    (2)每一个IB都对应一个饱和IC。
    即IB不仅控制了三极管能不能导通,还控制了导通电流上限。

    5、为什么硅管比锗管普遍?

    答:现在使用的三极管几乎都是硅三极管。因为锗三极管热稳定性差,漏电大(主要是其Iceo这个参数太差)故现在锗三极管已很少使用。锗管的优点就是饱和压降小。这两种管子的显著区别就是锗管的发射结、集电结压降在0.2~0.25V左右,而硅管的上述压降一般都在0.5-0.7V。

    6、NPN与PNP的区别?

    答:NPN:用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC)。E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VE;

    PNP:用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC)。E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE。

    两种三极管满足相同的基尔霍夫电流定律:
    IE=IB+IC

    下图中,NPN三极管输入高电平时,三极管导通;PNP三极管输入低电平时,三极管导通。

    六、应用

    1、三极管开关

    如果只是用三极管当开关用,如下图,则让三极管处于截止和饱和状态,饱和状态Vce很小,12V电压能更多地加在风扇上。

    这里更加详细地介绍怎么配置参数让三极管处于截止和饱和状态:

    假设三极管β=50,最大IC电流为500mA,BE压降为0.6V。

    当Vb<0.6V,BE的PN结不导通,三极管截止。

    当Vb>0.6V,BE的PN结导通,此时产生基极电流
                                Ib=(Vin-0.6)/R1
    如果三极管处于放大区,则
                                Ic=βIb
    由于最大IC电流为500mA,即饱和电流为500mA,可得三极管处于临界饱和点时
                                Ib=500/50=10mA
    Ib只要小一点,三极管就进入放大区。

    在该临界状态下,可以算出相应的限流电阻R1的值(假设Vin=5V):
                                R1=(Vin-0.6)/Ib=(5-0.6)/10=440Ω
    R1只要大一点,Ib就小了,三极管就进入放大区了。

    因此R1要选稍小于440Ω的,就可以让三极管处于饱和区。但R1也不能太小,否则电流太大,烧坏三极管。

    2、电流放大

    如果用于放大电流,则让三极管处于放大状态,放大倍数多少也得看数据手册。

    参考资料

    1、三极管是如何工作的
    https://www.bilibili.com/video/BV12x41187RN?from=search&seid=1704254124699802222&spm_id_from=333.337.0.0
    2、三极管是如何导电?超形象动画让你一看就懂!https://www.bilibili.com/video/BV1kv411574Y?from=search&seid=16476055373983643365&spm_id_from=333.337.0.0>
    3、三极管应用,控制一个LED灯的开关
    https://www.bilibili.com/video/BV1ah411J7Yd?spm_id_from=333.999.0.0
    4、《模拟电子学基础》
    5、https://blog.csdn.net/ybhuangfugui/article/details/107373558
    6、https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA3OTM2NzUxOA==&mid=2651570973&idx=2&sn=72c64c4b87d04252074311b09b39cedf&chksm=844bff2cb33c763a053f15b64f8d2e4e76a064c22a41c0b11520f95306ec60342c6b2d3dcca5&scene=27

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