探究长江存储诉讼镁光侵权的8个专利内容

1.事件背景回顾

据《环球时报》周日从美国加州北区地方法院官方网站获悉，中国领先的存储芯片生产商长江存储科技股份有限公司（YMTC）周四对美国美光科技及其全资子公司美光消费品集团提起诉讼，指控其侵犯了长江存储的八项专利。

中国分析人士表示，此举是中国存储芯片企业正式对美国芯片企业发起反击的标志性事件，也表明中国企业领先世界，在存储芯片领域完全不受美国制裁。

长江存储表示，这起诉讼旨在结束美光广泛和未经授权使用其专利创新。长江存储列举了美光非法使用其专利技术来抵御市场竞争、获得和保护市场份额的行为。该诉讼旨在解决美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND闪存市场来阻止竞争和创新的企图。

“长江存储此举将鼓励企业创新，维护其合法权益，维护正常的市场竞争，”北京社会科学院副研究员王鹏周日告诉《环球时报》。

这也表明，中国在存储芯片方面的创新能力不断增强。“此外，随着中国商业和创新环境的不断改善，中国企业将有更多的后盾和法律工具来维护自己的合法权益。

正如起诉书中所详述的那样，长江存储指出，它不再是一个新的市场进入者，而是已成为全球3D NAND市场的重要参与者。

长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论，这家中国公司是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。

“这起诉讼表明，中国存储芯片企业正式对美国企业发起反击，以捍卫其合法权益。这也表明，中国芯片生产商已经形成了从存储芯片技术研发到制造的完整产业链，摆脱了美国的无理打压，“北京行业分析师马吉华周日告诉《环球时报》。

NAND闪存和DRAM是存储芯片的两种主要类型。NAND闪存可以制造存储设备，例如固态驱动器，这些设备用于手机服务器和个人计算机等产品。

马吉华指出，中国芯片制造商在芯片层数水平方面处于世界领先地位。“这起诉讼表明，长江存储的知识产权比美光更先进，证明这家中国公司在维权方面有足够的后盾，也给美国其他相关企业敲响了警钟。”

2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND闪存芯片，2020年开发两款128层闪存产品。2022年10月，美国政府发布出口管制法规，限制芯片制造设备向中国出口。去年12月，美国将长江存储列入出口管制实体清单。

除了NAND闪存，美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年，另一家生产DRAM芯片的存储芯片大公司福建晋华集成电路有限公司（JHICC）与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关工艺技术。它投资了56.5亿美元在中国东部福建省晋江市建设了一条12英寸晶圆厂生产线。

2017年，美光在美国起诉JHICC和联电，声称JHICC员工窃取了其知识产权。一年后，美国商务部将JHICC列入其出口管制实体清单。

知识产权本身就是全球合作的产物，即以商业合作为目的的相互许可。然而，美光在2017年的做法是合作的坏榜样，并已成为美国用来打压中国芯片公司的工具之一。长江存储的诉讼在法律和国际规则方面都是完全合理的。

2.涉及侵权的专利清单

专利1:  US-11501822-B2，NAND制造的控制方案。

专利2: US-10950623-B2，3D NAND制造方法。

专利3: US-10658378-B2，存储阵列键合TAC相关1。

专利4: US-10937806-B2，存储阵列键合TAC相关2。

专利5: US-10861872-B2，3D NAND制造工艺方案。

专利6: US-11468957-B2，NAND架构和操作方案。

专利7: US-11600342-B2，3D NAND读操作过程的方案设计。

专利8: US-10868031-B2，多堆叠3D NAND技术方案。