代码收藏家 STM32F4单片机内部FLASH编程时间测评
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前言
单片机内部的flash除了存储固件以外，经常将其分为多个区域，用来存储一些参数或存储OTA升级等待更新的固件，这时就会涉及单片机内部flash的编程和擦除操作。STM32同系列的单片机内部flash特性和扇区大小都不太一样，以下基于STM32F407VET6此型号进行简单介绍。
参考文档
STM32F4xx中文参考手册
STM32F407VET6数据手册
一、STM32F4的FLASH分区及扇区大小
不同型号的STM32F40xx/41xx，其 FLASH容量也有所不同，最小的只有 128K字节，最大的则达到了 1024K字节。 而STM32F407VET6的 FLASH容量为 512K字节， STM32F40xx/41xx的闪存模块组织如下：
二、FLASH的读取
STM32F4可通过内部的 I Code指令总线或 D Code数据总线访问内置闪存模块， 为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时 ，必须关闭预取缓冲器。 Flash 等待周期与 CPU时钟频率之间的对应关系如下：
频率为内部 16M RC振荡器， LATENCY默认是 0，即 1个等待周期。
供电电压，我们一般是3.3V，所以，在我们设置 168Mhz频率作为 CPU时钟之前，必须先设置 LATENCY为 5，否则FLASH读写可能出错，导致死机。
三、FLASH的编程位数
STM32F4闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR的 PSIZE字段配置， PSIZE的设置必须和电源电压匹配，如下：
由于我们开发板用的电压是3.3V，所以 PSIZE必须设置为 10，即32位并行位数。擦除或者编程，都必须以 32位为基础进行。四、FLASH的擦除
五、FLASH内部编程时间
如下图所示：
可以看出不同扇区擦除时间也是不同的，字写入时间为16us,比如按字写入1024字节数据，只需要4ms，非常快。
由以上可总结出我们使用的 STM32F407VET6：
字写入时间：
典型值16us 最大值100us扇区擦除时间：
16KB：典型值250ms 最大值500ms
64KB：典型值550ms 最大值1100ms
128KB：典型值1s 最大值2s
六、总结
由此可大致得出我们使用STM32F407VET6的FLASH时，FLASH的擦除和写入时间，具体实际时间可以通过测试得出。
