深入解析STM32 FLASH闪存编程原理与步骤

STM32详解FLASH闪存编程原理与步骤

  • FLASH编程注意事项
  • FLASH编程过程
  • STM32的FLASH擦除过程
  • FLASH全片擦除
  • FLASH操作总结
  • 锁定解锁函数
  • 写操作函数
  • 擦除函数
  • 获取状态函数
  • 等待操作完成函数
  • 读FLASH特定地址数据函数
  • FLASH编程注意事项

    1.STM32复位后,FPEC模块是被保护的,不能写入FLASH_CR寄存器:通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块(即写入KEY1和KEY2),只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。叫Unlock,简直不正确会产生总线错误。
    2.STM32闪存的编程每次必须写入16位(不能单纯的写入8位数据哦!),当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时,在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程;写入任何非半字的数据,FPEC都会产生总线错误。
    3.在编程过程中(FLASH_SR的BSY位为’1’),任何读写闪存的操作都会使CPU暂停,知道此次闪存编程结束。
    4.STM32的FLASH在编程的时候,也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(也就是其值必须是0xFFFF),否则无法写入,在FLASH_SR寄存器的PGERR位将得到一个警告。

    FLASH编程过程

    1.检查FLASH_CR的LOCK是否解锁,如果没有则先解锁
    2.检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作
    3.设置FLASH_CR寄存器的PG位为’1’,在指定的地址写入要编程的半字
    4.等待BSY位变为’0’
    5.读出写入的地址并验证数据

    STM32的FLASH擦除过程

    STM32FLASH编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了,所以,我们有介绍STM32的闪存擦除过程很重要。

    STM32的闪存擦除分为两种:页擦除和整片擦除。

    1.检查FLASH_CR的LOCK是否解锁, 如果没有则先解锁
    2.检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作
    3.设置FLASH_CR寄存器的PER位为’1’
    4.用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页
    5.设置FLASH_CR寄存器的STRT位为’1’
    6.等待BSY位变为’0’
    7.读出被擦除的页并做验证

    FLASH全片擦除


    1.检查FLASH_SR寄存器的BSY位,已确定没有其他操作在进行
    2.设置FLASH_CR寄存器的MER位1;
    3.设置FLASH_CR寄存器的STRT为1
    4.等待BSY为0
    5.读出所有页并验证

    FLASH操作总结

    锁定解锁函数

    在对FLASH进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在
    FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列(KEY1和KEY2),固件库函数实现;
    void FLASH_Unlock(void);
    同样的道理,在对FLASH写操作完成之后,我们要锁定FLASH
    void FLASH_Lock(void);

    写操作函数

    固件库提供了三个FLASH写函数:

    FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
    FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
    FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
    

    擦除函数

    固件库提供三个FLASH擦除函数:

    FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
    FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
    FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
    

    第一个是也擦除函数,根据页地址擦除特定的页数据
    第二个函数是擦除所有的页数据
    第三个函数是擦除用户选择字节数据

    获取状态函数

    FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
    

    返回值是通过枚举类型定义的:

    	typedef enum
    	{
    	FLASH_BUSY = 1,             //忙
    	FLASH_ERROR_PG,             //编程错误
    	FLASH_ERROR_WRP,            //写保护错误
    	FLASH_COMPLETE,             //操作完成
    	FLASH_TIMEOUT               //操作超时
    	}FLASH_Status;
    

    等待操作完成函数

    在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正确地惊醒;即在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前,我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。

    FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
    

    入口参数为等待时间,返回值是FLAHS的状态,这个很容易理解,这个函数本身我们在固件库中使用得不多,但是在固件库函数体中间可以多次看到。

    读FLASH特定地址数据函数

    读取FLASH指定地址的半字的函数固件库并没有给出来,这里我们需要自己写一个函数

    u16  STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
    {
    	return *(vu16*)faddr;
    }
    

    作者:楼台的春风

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