代码收藏家 单片机控制小型继电器实例参考
1、学习继电器基本知识
电磁继电器_百度百科 (baidu.com)
2、继电器驱动方式
2.1 N-MOS管驱动和NPN管驱动，这两种电路设计方便，I/O口能直接驱动（缺少隔离保护,缺少工作指示灯，看下节）
继电器型号：sdr-12vdc-sl-c，12v直流供电，1,4脚接线圈不分正负，功耗0.36W，电流30ma；
N-MOS驱动：I/O端施加2V以上电平可让n-mos管导通；3.3V，5V电平同样能导通；
NPN驱动：计算R4电阻值，需要根据继电器工作电流30ma来计算，三极管MMBT3904 规格书里有一条，
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA,5mA |
Ib就取4ma吧，I/O电平3.3V时，R4=(3.3-0.7)/0.004=650欧；选个680欧电阻没问题；
I/O电平5V时，R4=(5-0.7)/0.004=1075欧；选个1k或1.2k欧电阻没问题；
2.2 加光耦隔离保护
这已经是一个比较完善的电路，用光耦PC817隔离控制，电阻R9根据光耦规格书计算。
在3.3V下，R9不超过800欧姆可以控制光耦导通，R11选取在10k—100k。
在5V下，R9不超过1.5K欧姆可以控制光耦导通，R11选取在10k—100k。
在N-MOS驱动下，R9,R11有一定的选取范围，不需要考虑电流问题，能饱和工作就够了。下面电路需要计算阻值了。
继电器工作电流30ma，Q1工作在饱和状态时的Ib同样选取4ma，计算R2=(12v-0.3-0.7)/0.004=2.75k，0.3是光耦Vce压降，0.7是Q1 Vbe电压。 光耦工作在饱和状态下的Ic=4ma，查看规格书得知此时光耦输入端电流IF>5ma时Vce压降低于0.5V，计算R1=(3.3-1)/0.005=460,R1选个300欧姆没问题。
用跳帽实现I/O高低电平触发切换，这里贴上原理图补充说明：（电路中I/O高电平务必要与3.3V保持相同，5V单片机将3.3V更改成5V），一定要有个跳帽在上面，现在光耦pc817的1,2端可能会导通，已经有电压电阻了，加上跳帽才能实现控制，不加不受控。
PS：在隔离保护N-MOS驱动中光耦pc817也可以将电阻R11更换位置。如下参考电路
3、 stm32编程
平时点灯的程序拿过来都能用，I/O设置为推挽模式，在2.2光耦隔离设计中采用低电平驱动有效，高电平也能驱动，考虑到习惯就用低电平，下图是STM32f1 I/O口电气特性。
作者：qq_18776163
