代码收藏家 STM32C011开发(3)—-Flash操作
STM32C011开发—-3.Flash操作
概述
STM32C011 系列微控制器内置 Flash 存储器，支持程序存储与数据保存，具备页面擦除、双字写入、读写保护等功能。本文将简要介绍 STM32C011 的 Flash 结构与特性，并通过实际代码示例，讲解 Flash 的擦除、写入与读取等基本操作。
最近在弄ST的教程，需要样片的可以加群申请：615061293/925643491 。
硬件准备
首先需要准备一个开发板，这里我准备的是自己绘制的开发板，需要的可以进行申请。
主控为STM32C011F4P6
视频教学
https://www.bilibili.com/video/BV1KTBtY4EpD
STM32C011开发(3)—-Flash操作
样品申请
https://www.wjx.top/vm/OhcKxJk.aspx#
源码下载
参考程序
https://github.com/CoreMaker-lab/STM32C011_TSSOP20
https://gitee.com/CoreMaker/STM32C011_TSSOP20
生成STM32CUBEMX
用STM32CUBEMX生成例程，这里使用MCU为STM32C011F4P6。
配置时钟树，配置时钟为48M。
串口配置
查看原理图，PA0和PA1设置为开发板的串口。
配置串口，速率为115200。
堆栈设置
若无法正常运行需要修改优化等级。
串口重定向
打开魔术棒，勾选MicroLIB
在main.c中，添加头文件，若不添加会出现 identifier “FILE” is undefined报错。
/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "stdio.h"
/* USER CODE END Includes */
函数声明和串口重定向：
/* USER CODE BEGIN PFP */
int fputc(int ch, FILE *f){
HAL_UART_Transmit(&huart1 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);
return ch;
}
/* USER CODE END PFP */
FLASH
STM32C011 的嵌入式 Flash 通过 AHB 总线与 Cortex-M0+ CPU 连接，支持访问、擦除和编程操作。
Flash 构成：
● 存储单元：Flash 单元为 64 位宽，用于存储代码及数据。
● 主存储器结构：
○ 共 16 页，每页大小为 2 KB，总计 32 KB。
● 信息块区域：
○ 包括选项字节（2 KB）、工程字节（1 KB）、OTP（1 KB）及系统存储器（6 KB）。
要向 FLASH 写入数据，需要依次完成以下四个步骤：
- 解锁 FLASH
- 擦除 FLASH
- 写入 FLASH
- 锁定 FLASH
需要注意，FLASH 的擦除只能按页或整块进行。
STM32C011F4P6 的 FLASH 容量为 16 KB，共分为 8 页，每页大小为 2 KB。
我们可以将数据写入第 7 页，其地址范围为 0x08003800 – 0x08003FFF。
单次写入的单位为 64 位（8 字节）。
数据初始化
● WriteFlashData：
○ 这是一个待写入的 64 位数据数组，包含 3 个双字（64 位）数据。
○ 每个元素的大小是 8 字节，总计 24 字节的数据。
● addr 和 Page：
○ addr 是目标地址，表示从 Flash 的第 7 页（Page 7）开始写入。
○ STM32 的 Flash 以 2 KB 为一页，因此第 7 页的起始地址是 0x08003800。
/* USER CODE BEGIN 0 */
uint64_t WriteFlashData[3] = {0x1111222233334444,0x5555666677778888,0x9999AAAABBBBCCCC};//数据
uint32_t addr = 0x08003800;//page 7
uint32_t Page = 7;
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t Page);
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint64_t Data[],uint32_t Page,uint32_t addr);
/* USER CODE END 0 */
FLASH 读写
/* USER CODE BEGIN 4 */
/* FLASH 写入程序 */
void WriteFlashTest(uint32_t L, uint64_t Data[], uint32_t Page, uint32_t addr)
{
uint32_t i = 0;
uint32_t PageError = 0;
// 1/4 解锁 FLASH
if (HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK)
{
printf("Error: Failed to unlock FLASH.\n");
return;
}
// 2/4 初始化擦除结构体并擦除指定页
FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 擦除类型：页擦除
FlashSet.Page = Page; // 页索引
FlashSet.NbPages = 1; // 一次擦除 1 页
if (HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError) != HAL_OK)
{
printf("Error: Failed to erase FLASH. PageError: %d\n", PageError);
HAL_FLASH_Lock();
return;
}
printf("FLASH Page %u erased successfully.\n", Page);
// 3/4 将数据写入指定地址
for (i = 0; i < L; i++)
{
if (HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr + 8 * i, Data[i]) != HAL_OK)
{
printf("Error: FLASH program failed at address 0x%08X.\n", addr + 8 * i);
HAL_FLASH_Lock();
return;
}
}
printf("FLASH programming completed successfully.\n");
// 4/4 锁住 FLASH
HAL_FLASH_Lock();
}
/* FLASH 读取并打印程序 */
void PrintFlashTest(uint32_t L, uint32_t addr)
{
uint32_t i = 0;
uint64_t data = 0;
printf("Reading FLASH data from address 0x%08X:\n", addr);
for (i = 0; i < L; i++)
{
data = *(__IO uint64_t *)(addr + i * 8); // 按 64 位读取数据
printf("Address: 0x%08X, Data: 0x%016llX\n", addr + i * 8, data);
}
printf("FLASH read completed.\n");
}
/* USER CODE END 4 */
测试 FLASH 写入和读取功能，分为两次写入操作，并在每次写入后进行验证。
● 两次写入操作，分别测试不同数据的写入和读取。
● 验证写入是否正确，通过读取打印结果进行比对。
/* USER CODE BEGIN 2 */
printf("=== First Write and Read ===\n");
WriteFlashTest(3,WriteFlashData,Page,addr);
PrintFlashTest(3,addr);//WriteFlashData[3] = {0x1111222233334444,0x5555666677778888,0x9999AAAABBBBCCCC};//数据
printf("\n=== Modify Data and Rewrite ===\n");
WriteFlashData[0]=0x9999;
WriteFlashData[1]=0x8888;
WriteFlashData[2]=0x7777;
WriteFlashTest(3,WriteFlashData,Page,addr);
PrintFlashTest(3,addr);
/* USER CODE END 2 */
演示
测试结果如下所示。
第一次写入。
第二次写入。
STM32CubeProgrammer读取。
作者：记帖
