代码收藏家 STM32片内FLASH读写操作详解笔记
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前言
在通过OTA的方式对设备进行升级，若在使用内部FLASH装载固件程序的方式下，需要擦写 内部FLASH 从而实现把新的固件程序写入到 内部FLASH。
参考文档：ST的闪存编程文档
STM32F105的内部ROM分布
F105属于互联型设备，其内部的主存储器ROM有256KB。
这256KB 由 128页 ，每页2KB的页面组成
Information block 分为两个部分：System memory 和 Option bytes
这个部分存储了是STM32官方系统的bootloader程序，在通过选择对应的BOOT模式可以进入该bootloader程序；该bootloader程序是通过 把USART1的传输过来的程序 写入到Main memory中。
在互联型产品中，bootloader程序 还可以读取 USART2(重映射)等接口，从而烧录程序。
有两种保护方式：①写包含；②读保护
注意：
1.只有在写FLASH完毕后，才能正确的读取FLASH。在 写FLASH时读取FLASH，将会造成写失败；
2.只有在内部高速晶振开启时，才能写入/擦除内部FLASH。
3.在低功耗模式下，对FLASH的任何访问将被中止。
STM32F10x的闪存擦写
STM32F10x的闪存擦写由 FPEC 控制。
FPEC指Flash program and erase controller，FPEC由7个32位的寄存器组成。
注意：只有CPU没有访问 正在操作的FLASH，CPU将不会因操作FLASH而阻塞。
解锁FPEC
在复位后，FPEC是被保护着。
需要往 FLASH_KEYR 寄存器写入固定的值，才可解开FPEC的锁。
如果这个值写错了，那么只有在下一次复位后，才能再次接口FPEC的锁。
Main FLASH 的编写
每次只能往main flash写入16位数据。
在写入main flash的指定地址时，若该地址并未被擦除，则FLASH_SR的 PGERR 将会被置位。
若该地址是写保护的(通过 FLASH_WRPR 设置)，则FLASH_SR的 WRPRTERR 将会被置位。
标志的擦写 main Flash的步骤如下：
main Flash的擦除
在编写 main Flash 之前，需要先擦除。
擦除 main Flash 的方式有两种：页擦除，全擦除。
页擦除：页擦除是擦除 main Flash的一个页面。
map 0x40000000,0x40080000 read write
注意点
在使用stm32自带的flash保存数据时候，如下特点必须知道：
1、必须是先擦除一个扇区，才能写入
2、读数据没有限制
3、写数据必须是偶数（2字节、4字节），同时写入地址以一定要考虑字节对齐，
4、一般都是在最后几页进行数据保存的，确保数据量不超过flash的的大小，比如f103大容量是2k字节，其实一个扇区只能写入1k数量的2字节的数据。
http://eeskill.com/article/id/29479
5、写入数据时，采用大端模式，如想往 0x0800 0000写入0x31 0x32 0x33 0x34，则写入的数据是uint32_t data = 0x31 + 0x32<<8 + 0x33<<16 + 0x34<<24;即写入0x34333231
6、一旦写入数据，无论你写的是FLASH擦除后的默认值0xff还是其他值，若在不擦除的情况下再次往该地址写数据，必定失败。
7、若遇到写入 或 擦除失败的清空，需要清除标志位后才能再继续写入或擦除。
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
flash_sta=FLASH_ErasePage(UPDAFLAG_FLASH_56K);
作者：某风吾起
