代码收藏家技术教程 2023-03-31

深入理解嵌入式开发中的Flash、RAM和ROM（第10部分）

一、存储器

存储器系统结构
程序存储器、数据存储器、寄存器和 I/O 端口排列在同一个顺序的 4 GB 地址空间内。各字节按小端格式在存储器中编码。字中编号最低的字节被视为该字的最低有效字节，而编号最高的字节被视为最高有效字节。

主要特性：
1. 4GB线性地址空间。 可寻址的存储空间分为 8 个主要块，每个块为 512 MB。共为 4GB，且以 32位寻址，未分配给片上存储器和外设的所有存储区域均视为“保留区”。

2. 位段访问（可选）。SRAM和外设空间中存在两个可位寻址的区域，通过位段别名地址。

3. 支持 32位、16位和8位数据的高效传输。

4. 架构定义的存储器映射。
4GB的存储器空间被划分为多个区域，用于预定义的存储器和外设，以优化处理器设计的性能。例如，Cortex-M3和CortexM4处理器具有多个总线接口，允许对程序代码用的CODE区域的访问和对SRAM或外设区域的数据操作同时进行。
● 程序代码的问（如CODE区域）
● 数据访问（如SRAM区域）
● 外设（如外设区域）
● 处理器的内部控制和调试部件（如私有外设总线）

5. 支持小端和大端的存储器系统。
可以使用小端或大端的存储器系统。实际上，微控制器产品一般会被设计成只具有一种端配置。对于小端的存储器系统，字大小数据的第一个字节位于32位存储器位置的最低字节处。类似于大端序、小端序。

6. 写缓冲。
写缓冲可能会将本次传输缓存起来，处理器可以继续执行下一条指令，如果可能的话，这样可以提高程序的执行速度。

7. 存储器保护单元（MPU）。
MPU为监控总线传输的可编程设备，需要通过软件（一般是嵌入式OS）配置。若MPU存在，应用程序可以将存储器空间分为多个部分，并为每个部分定义访问权限。当违反访问规则时，错误异常就会产生，错误异常处理则会分析问题，而且如果可能，将错误加以修复。

8. 非对齐传输支持。
由于存储器系统为32位的（至少从编程模型的角度来看是这样的），大小为32位（4 字节，或字）或16位（2 字节，或半字）可以是对齐也可以是不对齐的。对齐传输的意思是地址值为大小（以字节为单位）的整数倍。例如，字大小的对齐传输可以执行的地址为0x0000000、0x00000004、…、0x00001000、0x00001004等；类似地，半字大小的对齐传输可以执行的地址则为0x0000000000、0x00000002、…、0x0000l000、0x00001002等。

二、分类

1. RAM

随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。

（1）SRAM

SRAM 全称 Static Random-Access Memory，中文译为静态随机存取存储器。所谓“静态”，即只要保持通电（计算机处于开启状态），SRAM 就可以保证每个比特位的数值（0 或者 1）不发生变化，从而一直存储这些数据。

SRAM 主要由晶体管构成，SRAM 中的每 1 个比特位都通常要用 6 个 CMOS 晶体管（再配以其它一些零件，但没有电容器）组合实现。这样的六晶体管配置，使得 SRAM 具备以下的特点：
和 DRAM 相比，SRAM 存储 1 比特位所需的部件更多，因此它的体积更大。和具备等量存储空间的 DRAM 相比，SRAM 需要占用更大的电路板空间；而同体积的 DRAM 和 SRAM 相比，SRAM 提供的内存空间也就更少。
同样和 DRAM 比，SRAM 读写效率更高，因为 SRAM 支持立即对每个比特位做读、写操作，而无需等待电容器充满电或者完全释放后再做对应的操作。同时，CPU 访问 SRAM 的时间更快（可以低至 10 纳秒），而且两次访问操作可以连续执行，中间不需要暂停。

基于这样的特性，SRAM 通常用来做计算机的寄存器、高速缓存以及显卡上的帧缓存区。

系统 SRAM 可按字节、半字（16 位）或全字（32 位）访问。读写操作以 CPU 速度执行，且等待周期为 0。系统 SRAM 分为三个块：
● 映射在地址 0x2000 0000 的 112 KB 和 16 KB 块，可供所有 AHB 主控总线访问。
● 映射在地址 0x2002 0000 的 64 KB 块，可供所有 AHB 主控总线访问。（适用于 STM32F42xxx 和 STM32F43xxx）。AHB 主总线支持并发 SRAM 访问（通过以太网或 USB OTG HS）：例如，当 CPU 对 112 KB 或 64 KB SRAM 进行读/写操作时，以太网 MAC 可以同时对 16 KB SRAM 进行读/写操作。
● 在地址 0x1000 0000 映射的 64 KB 块，只能供 CPU 通过数据总线访问。

（2） DRAM

DRAM，全称 Dynamic Random Access Memory，中文译为动态随机存取存储器。

该存储器本质是一个集成电路，内部包含数百万个尺寸非常小的晶体管和电容器。在电路板上，每个晶体管都和一个电容器对齐摆放，整体构成 1 个比特位，其中电容器充满电表示存储 1，无电表示存储 0；晶体管则充当开关的角色，它允许电路板读取或者修改当前电容器的状态。

DRAM 这种组织结构存在的最大问题是，即便晶体管处于关闭状态，它也会存在漏电的现象，从而导致相连电容器中的电量减少，存储的数据也相继丢失。因此，DRAM 必须定时刷新各电容器中的电量，才能保证存储的数据不会丢失，这也是它称为“动态 RAM”的原因。

2. ROM

我们正常编译生成的二进制文件，需要下载烧录到单片机里面去，这个文件保存在单片机的ROM中，ROM这个名称指的是「read only memory」的意思，所有可以完成「read only memory」这种特性的存储介质都可以称为ROM。
一般可以分为四大类：
（1）PROM (Programmable Read-Only Memory)，可编程只读存储器，也叫One-Time Programmable (OTP) ROM“一次可编程只读存储器”，是一种可以用程，只可以擦写一次，是一次性的，软件输入后，无法修改，例如芯片的全球唯一ID码。
（2）EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory），可擦除可编程只读存储器，一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。
（3）EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。

（1）EPROM

电擦除和紫外线擦除是两种不同的擦除方式，我现在知道用紫外线擦除的ROM是EPROM。

EPROM是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。

EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。

（2）EEPROM

EEPROM拯救了这一切？
EEPROM的全称是「电可擦除可编程只读存储器」，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。EEPROM的出现可以说是跨时代的，因为ROM可以多次编程了，对于程序员来说，终于可以多次烧写单片机了，更让我们兴奋的是，我们可以使用电擦除，而不是紫外线擦除了。
从擦除次数上，EEPROM可以擦除100W次，而且EEPROM可以针对每一个区块，也就是每一个位置写「0」或者写「1」，如果大家知道FLASH特性的话，就会觉得EEPROM是多么优秀。而且数据的保存时间可以达到100年。
当然了，特点就是电路复杂，成本高，因为成本高就导致了EEPROM的大小不是非常大，一般在512KB 以下。

3. Flash

FLASH，可以擦写多次，按扇区/块擦除。
我们一般使用的单片机里面使用的是EEPROM（E2PROM），STM32则使用FLASH。

如果从电擦除这个特性上说的话，FLASH也是EEPROM的一种，不同的是，FLASH的擦除区块不是一个字节，而是扇区来擦除，也是因为这样的特性，才导致FLASH价格比EEPROM便宜。

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。用途SD卡、固态硬盘、芯片内存存储单元存储代码。

三、内部Flash（嵌入式Flash）

Flash 接口可管理 CPU 通过 AHB I-Code 和 D-Code 对 Flash 进行的访问。该接口可针对 Flash 执行擦除和编程操作，并实施读写保护机制。Flash 接口通过指令预取和缓存机制加速代码执行。

1.主要特性

（1）嵌入式 Flash
Flash 具有以下主要特性：
● 对于 STM32F40x 和 STM32F41x，容量高达 1 MB；对于 STM32F42x 和 STM32F43x，容量高达 2 MB
● 128 位宽数据读取
● 字节、半字、字和双字数据写入。

注意：
字节写入优点：字符或字符串的访问。缺点：速度慢。
字写入优点：32位数据访问，速度快。缺点：不太适合字符或字符串的访问。

● 扇区擦除与全部擦除

注意：扇区擦除类似计算机的分区格式化，全部擦除类似硬件盘格式化

块	名称	块基址	大小
主存储器	扇区0	0x0800 0000 – 0x0800 3FFF	16 KB
	扇区0	0x0800 0000 – 0x0800 3FFF	16 KB
	扇区1	0x0800 4000 – 0x0800 7FFF	16 KB
	扇区2	00×0800 8000 – 0x0800 BFFF	16 KB
	扇区3	0x0800 C000 – 0x0800 FFFF	16 KB
	扇区4	0x0801 0000 – 0x0801 FFFF	64 KB
	扇区5	0x0802 0000 – 0x0803 FFFF	128KB
	扇区6	0x0804 0000 – 0x0805 FFFF	128KB
	…	…	…
	扇区11	0x080E 0000 – 0x080F FFFF	128KB
	系统存储区域	0x1FFF 0000 – 0x1FFF 77FF	30KB
	OPT区域	0x1FFF 7800 – 0x1FFF 7A0F	528KB
	选项字节	0x1FFF C000 – 0x1FFF C00F	16KB

例如：扇区FLASH写入的位置可以对应——》》》》|扇区0 | 0x0800 0000 - 0x0800 3FFF | 16 KB

与EEPROM的区别：

EEPROM能够单独修改某个字节，但是Flash想要修改，只能先擦除，再编程写入

不同芯片flash大小，会有不同的扇区数量。
● 存储器组织结构
Flash 结构如下：
— 主存储器块，分为 4 个 16 KB 扇区、1 个 64 KB 扇区和 7 个 128 KB 扇区
— 系统存储器，器件在系统存储器自举模式下从该存储器启动
— 512 字节 OTP（一次性可编程），用于存储用户数据OTP 区域还有 16 个额外字节，用于锁定对应的 OTP 数据块。
— 选项字节，用于配置读写保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。

● 低功耗模式（“电源控制 PWR)”部分

（2）操作技巧

操作步骤：找到扇区、擦除扇区、根据需要，编程写入数据

Flash编程般以数据块为单位。调试器将Flash编程算法代码和程序映像块下载到RAM中，然后执行Flash编程代码，这样处理器自己就可以进行Flash编程操作。由于 SRAM每次只能存放一小块程序映像，要将整个程序映像写到Flash中需要多次重复整个步骤。

2.擦除和编程操作

执行任何 Flash 编程操作（擦除或编程）时，CPU 时钟频率 (HCLK) 不能低于 1 MHz。如果在 Flash 操作期间发生器件复位，无法保证 Flash 中的内容。在对 STM32F4xx 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从 Flash 中执行代码或数据获取操作。

3.编程/擦除位数与电压之间的关系

	电压范围 2.7 – 3.6 V（使用外部 VPP）	电压范围2.7 – 3.6 V	电压范围2.4 – 2.7 V	电压范围2.1 – 2.4 V	电压范围1.8 V – 2.1 V
并行位数	x64	x32	x16	x16	x8
PSIZE(1:0)	11	10	01	01	00

注意：
如果在编程并行位数/电压范围设置不一致的情况下启动任何编程或擦除操作，可能会导致出现意外结果。即使后续的读操作指示逻辑值已有效写入存储器中，也无法确定写入操作确实成功。
要使用 VPP，必须在 VPP 引脚施加一个外部高压电源（8 V 到 9 V 之间）。该外部电源必须在直流电耗超过 10 mA 时也能维持该电压范围。建议仅在工厂生产线上进行初始编程时使用VPP。VPP 电源的供电时间不得超过一小时，否则 Flash 可能会损坏。

4.单位

 字节：8位
 半字：16位
 字：32位
 双字：64位

 uint32_t i;
 uint64_t i;

 word i;
dword i;

四、编程细节

1.以分区形式进行规划，配置数据最好从最后扇区进行操作，防止覆盖扇区0的代码。

2.写入数据之前得先擦除数据，类似与读书时的黑板原理。

思考1：擦除完之后，扇区里面所有的数据是什么？
答：所有的数据都是为0xFF，所有bit位都是1。

思考2：假如说现在已经擦除完扇区，先写入了1个字，然后在下一个偏移地址再次写入新的字是否在需要擦除扇区？
答案：不需要的。

思考3：假如说现在已经擦除完扇区，先写了1个字，然后在同一个地址再次写入新的字是否需要擦除扇区？
答案：需要进行擦除！

例子，已经写入数据为0x12345678，然后再写入新的数据为0x1111111，最后得到的数据居然是0x101010.

总结：
判断是否允许写入字，只需要判断当前的地址存储的数据是否为0xFFFFFFFF，若为0xFFFFFFFF，可以写入数据，不需要进行扇区擦除。

拓展：栈存储

同几乎所有的处理器架构一样，Cortex M处理器在运行时需要枝存储和措指针（Rl3）。在枝这种存储器使用机制中，存储器的一部分可被用作后进先出的数据存储缓冲。ARM处理器将系统主存储器用于找空间操作。详细理解原理：栈、堆内存

● 当正在执行的函数需要使用寄存器（寄存器组中）进行数据处理时，临时存储数据的初始值。这些数据在函数结束时’可以被恢复出来，以免调用函数的程序丢失数据。
● 往函数或子程序中的信息传递。
● 用于存储局部变量。
● 在中断等异常产生时保存处理器状态和寄存器数值。
Cortex M处理器使用的战模型被称作“满递减”。处理器启动后，SP被设置为战存储空间最后的位置。对于每次PUSH操作，处理器首先减小 SP的值，然后将数据存储在 SP指向的存储器位置。在操作期间，SP指向上一次数据被存储在校中的位置。
对于POP操作，SP指向的存储器位置的数据被i卖出，然后 SP的数值会自动减小。PUSH和POP指令最常见的用法为，在执行函数或子程序调用时保存寄存器组中的内容。在函数调用开始时，有些寄存器的内容可以通过PUSH指令保存在楼中，而后在函数调用结束时通过POP恢复为它们的初始值。

例如：

寄存器中的数值稍后还会被主程序用到，因此，它们就被PUSH保存到楼中，且在functionl结束时被POP恢复。这样，调用函数的程序代码不会丢失任何数据而且可以继续执行。注意，对于每次PUSH操作（保存到存储器），都会有一个对应的POP（从存储器中读取），而且POP操作的地址应该和PUSH的一致。

每个PUSH和POP指令都可以往／从横空间传输多个数据，如图4.21所示。由于寄存器组中的寄存器都是32位的，每个由战PUSH和POP生成的存储器传输都会访问至少一个字（4字节）的数据，而且地址总是对齐到4字节边界上，SP的最低两位也总是为0。
可以将函数返回和POP操作结合起来，首先，把LRCR14）的数值压到枝存储中，在子程序／函数结束时将其恢复到PC(Rl日
Cortex-M处理器在物理上存在两个枝指针。它们为：
● 主战指针（MSP）。复位后默认使用的枝指针，用于所有的异常处理。
● 进程枝指针（PSP）。只能用于线程模式的技指针，通常用于运行嵌入式 OS 的嵌入式系统中的应用任务。

在寄存器中当位SPSEL的数值，若该位为0，则线程模式在校操作时使用MSP，否则线程模式使用PSP。
在异常事件产生后，处理器在进入中断服务程序CISR）前会首先将多个寄存器压人战中，这种寄存器状态保存操作被称作“ 压战”，而在JSR结束时，这些寄存器又会被恢复到寄存器组中，这种操作则被称作“出拢” 。

一般来说，在C函数中修改当前选定的SP的方式是不为我们所提倡的，这是因为栈存储中的某部分可能会被用于存储局部变量或其他数据。要在汇编代码中访问MSP和PSP ，可以使用MSR和MRS指令：

MRS R0, MSP；//将主战指针读人R0 
MSR MSP, R0；//将R0写入主战指针
MRS R0, PSP；//将进程找指针读人R0
MSR PSP, R0；//将R0写人进程技指针

代码

proj1_写入读取FLASH

#include <stm32f4xx.h>
#include <string.h>
#include <stdio.h>

#include "led.h"
#include "beep.h"
#include "key.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"
#include "rtc.h"

int main()
{
	char usart1_buf[50];
	
	// 中断优先级2组：4级抢占优先级，支持4级响应优先级
	NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
	
	LED_Init();		// 初始化4个LED
	BEEP_Init();	// 初始化蜂鸣器
	KEY_EXTI_Init();		// 初始化按键（外部中断）
	USART1_Config(115200);	// 串口1配置
	
	usart1_send_str("This is FLASH test~\r\n");

	
	
	
	
	/* 1.打开FLASH写访问 */
	FLASH_Unlock();

	/* 2.清空标志位 */  
	FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | 
					FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); 

	/********************** 3.擦除扇区4 ******************/
	if(FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_4, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
	{
		usart1_send_str("FLASH_EraseSector failed!\r\n");
		
		/* 擦除出错 */
		while (1);
	}
	
	/********************** 4.写入数据 ******************/
	if(FLASH_ProgramWord(0x08010000, 0x12345678) != FLASH_COMPLETE)
	{ 
		usart1_send_str("FLASH_ProgramWord failed!\r\n");
		
		/* 写入出错 */
		while (1);
	}
	/* 5.关闭写访问 */
	FLASH_Lock(); 

	// 6.读取刚写入的数据
	volatile uint32_t uwData32 = 0;

	uwData32 = *(volatile uint32_t*)0x08010000;
	
	memset(usart1_buf, 0, sizeof(usart1_buf));
	sprintf(usart1_buf, "Get: 0x%X\r\n", uwData32);
	usart1_send_str(usart1_buf);
	
	
	
	
	while(1)
	{
		
	}
}

proj2_连续写入64字

#include <stm32f4xx.h>
#include <string.h>
#include <stdio.h>

#include "led.h"
#include "beep.h"
#include "key.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"
#include "rtc.h"

int main()
{
	uint8_t i;
	
	char usart1_buf[50];
	
	// 中断优先级2组：4级抢占优先级，支持4级响应优先级
	NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
	
	LED_Init();		// 初始化4个LED
	BEEP_Init();	// 初始化蜂鸣器
	KEY_EXTI_Init();		// 初始化按键（外部中断）
	USART1_Config(115200);	// 串口1配置
	
	usart1_send_str("This is FLASH test~\r\n");

	
	
	
	
	/* 1.打开FLASH写访问 */
	FLASH_Unlock();

	/* 2.清空标志位 */  
	FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | 
					FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); 

	/********************** 3.擦除扇区4 ******************/
	if(FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_4, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
	{
		usart1_send_str("FLASH_EraseSector failed!\r\n");
		
		/* 擦除出错 */
		while (1);
	}
	
	/********************** 4.写入数据 ******************/
	for(i=0; i<64; i++)	// 0~63
	{
		if(FLASH_ProgramWord(0x08010000+4*i, i) != FLASH_COMPLETE)
		{
			usart1_send_str("FLASH_ProgramWord failed!\r\n");
			
			/* 写入出错 */
			while (1);
		}
	}

	/* 5.关闭写访问 */
	FLASH_Lock(); 

	
	
	// 6.读取刚写入的数据
		// 指针指向扇区4的首地址
	volatile uint32_t *p_data = (volatile uint32_t*)0x08010000;
	
	for(i=0; i<64; i++)	// 0~63
	{
		memset(usart1_buf, 0, sizeof(usart1_buf));
		sprintf(usart1_buf, "%d ", *(p_data+i));
		usart1_send_str(usart1_buf);
	}
	usart1_send_str("\r\n");
	
	
	while(1)
	{
		
	}
}

proj3_扇区操作验证(擦除后为0xFFFFFFFF)

#include <stm32f4xx.h>
#include <string.h>
#include <stdio.h>

#include "led.h"
#include "beep.h"
#include "key.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"
#include "rtc.h"

int main()
{
	uint8_t i;
	char usart1_buf[50];
	
	// 中断优先级2组：4级抢占优先级，支持4级响应优先级
	NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
	
	LED_Init();		// 初始化4个LED
	BEEP_Init();	// 初始化蜂鸣器
	KEY_EXTI_Init();		// 初始化按键（外部中断）
	USART1_Config(115200);	// 串口1配置
	
	usart1_send_str("This is FLASH test~\r\n");
	
	/* 1.打开FLASH写访问 */
	FLASH_Unlock();

	/* 2.清空标志位 */  
	FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | 
					FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); 

	/********************** 3.擦除扇区4 ******************/
	if(FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_4, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
	{
		usart1_send_str("FLASH_EraseSector failed!\r\n");
		
		/* 擦除出错 */
		while (1);
	}
	
	/* 5.关闭写访问 */
	FLASH_Lock(); 

	// 6.读取刚写入的数据
		// 指针指向扇区4的首地址
	volatile uint32_t *p_data = (volatile uint32_t*)0x08010000;
	
	for(i=0; i<10; i++)
	{
		memset(usart1_buf, 0, sizeof(usart1_buf));
		sprintf(usart1_buf, "0x%X\r\n", *(p_data+i));
		usart1_send_str(usart1_buf);
	}
	
	
	while(1)
	{
		
	}
}

源码：
链接：https://pan.baidu.com/s/1VIsBe2ZPrDTpTjfHj1sgkw
提取码：baba

总结

Cortex-M3和Cortex M4处理器本身并不包含存储器（没有程序存储器、SRAM或缓存），它们具有通用的片上总线接口，因此，微控制器供应商可以将它们自己的存储器系统添加到系统中。一般来说，微控制器供应商需要将下面的部件添加到存储器系统中：
（1）程序存储器，一般是Flash。
（2）数据存储器，一般是SRAM。
（3）外设。

物联沃分享整理
物联沃-IOTWORD物联网 » 深入理解嵌入式开发中的Flash、RAM和ROM（第10部分）

代码收藏家普通

分享到：

深入理解嵌入式开发中的Flash、RAM和ROM（第10部分）

目录

一、存储器

二、分类

1. RAM

（1）SRAM

（2） DRAM

2. ROM

（1）EPROM

（2）EEPROM

3. Flash

三、内部Flash（嵌入式Flash）

1.主要特性

2.擦除和编程操作

3.编程/擦除位数与电压之间的关系

4.单位

四、编程细节

拓展：栈存储

代码

总结

代码收藏家普通

发表评论取消回复

目录

一、存储器

二、分类

1. RAM

（1）SRAM

（2） DRAM

2. ROM

（1）EPROM

（2）EEPROM

3. Flash

三、内部Flash（嵌入式Flash）

1.主要特性

2.擦除和编程操作

3.编程/擦除位数与电压之间的关系

4.单位

四、编程细节

拓展：栈存储

代码

总结

您可能感兴趣的内容:

代码收藏家 普通

相关推荐

发表评论 取消回复

代码收藏家普通

发表评论取消回复