STM32 使用HAL库实现flash读写

记录使用HAL库实现向flash指定地址写入数据并读取数据的方法

总体流程可以分为擦除、写入、上锁、读取四个步骤：

1.擦除

首先弄清楚自己的疑问：为什么要擦除？不能直接写入吗？
答：stm32中flash的写入操作只能将数据位从“1”变为“0”，而无法将“0”变回“1”。比如11110000可以通过写入操作被更改为00000000，而无法被更改为11111111，而擦除操作就是先帮我们把所有为全部置1。

而擦除也是有规则的，在stm32中对flash的擦除操作的对象只能是页，这里要注意不同型号的stm32的页大小是不同的（1K或2K）。

这里附上stm32扇区分布以及对应flash地址：

选择好需要擦除的页后就可以进行擦除操作了：

EraseInitStruct.TypeErase     = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress   = ADDR_FLASH_SECTOR_3;
EraseInitStruct.NbPages       = 1;
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SECTORError) != HAL_OK)
{
    while(1);
}

TypeErase用于选择擦除方式，按页擦除还是擦除整个flash（一般都是按页）；然后选择好要擦除的起始地址和页数，起始地址一般都设置为扇区的起始地址，也可以按照自己的需要去确定。

2.写入

写入操作直接调用HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

TypeProgram可以是16位32位或者64位，根据需要设置即可；然后传入地址和需要写入的数据即可。例：向Address写入32位的数据DATA_32

 if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, DATA_32) != HAL_OK)
{
    while(1);
}

3.上锁

直接调用以下代码：

HAL_FLASH_Lock();

4.读取

也很简单，直接使用指针指向地址即可

READ = *(uint32_t*)Address;

实验验证

我们定义DATA_32为0x1234ABCD，并向0x0800C000地址写入并在程序中读取数据至变量READ，debug的结果如下：

可以发现存在flash中的数据看上去好像顺序不太对，但是我们读取出来的数据是正确的。这由于flash中每个地址可以存储一个字节的数据，并且是由低位到高位存储的，所以在地址0x0800C000处存储的是DATA_32的低2位0xCD，而后面的0xAB，0x34，0x12分别存储在0x0800C001，0x0800C002，0x0800C003处。如果我们要在后面继续写入数据，那么则需要从0x0800C004开始写入。

作者：电工小王（全国可飞）