DS18B20温度传感器:原理详解与实例程序代码

数字温度传感器(DS18B20)

DS18B20是一款常用的高精度的单总线数字温度测量芯片。具有体积小,硬件开销低,抗干扰能力强,精度高的特点。

传感器参数

  • 测温范围为-55℃到+125℃,在-10℃到+85℃范围内误差为±0.4°

  • 返回16位二进制温度数值

  • 主机和从机通信使用单总线,即使用单线进行数据的发送和接收

  • 在使用中不需要任何外围元件,独立芯片即可完成工作。

  • 掉电保护功能 DS18B20 内部含有 EEPROM ,通过配置寄存器可以设定数字转换精度和报警温度,在系统掉电以后,它仍可保存分辨率及报警温度的设定值。

  • 每个DS18B20都有独立唯一的64位-ID,此特性决定了它可以将任意多的DS18b20挂载到一根总线上,通过ROM搜索读取相应DS18B20的温度值

  • 宽电压供电,电压2.5V~5.5V

  • DS18B20返回的16位二进制数代表此刻探测的温度值,其高五位代表正负。如果高五位全部为1,则代表返回的温度值为负值。如果高五位全部为0,则代表返回的温度值为正值。后面的11位数据代表温度的绝对值,将其转换为十进制数值之后,再乘以0.0625即可获得此时的温度值。

  • 传感器引脚及原理图

    DS18B20传感器的引脚及封装图如下:


    DS18B20一共有三个引脚,分别是:

  • GND:电源地线
  • DQ:数字信号输入/输出端。
  • VDD:外接供电电源输入端。
  • 单个DS18B20接线方式: VDD接到电源,DQ接单片机引脚,同时外加上拉电阻,GND接地

    注意这个上拉电阻是必须的,就是DQ引脚必须要一个上拉电阻

    DS18B20上拉电阻

    首先我们要知道什么是漏极开路

    首先看一下 场效应管(MOSFET)

    场效应管 是电压控制型元器件,只要对栅极施加一定电压,DS就会导通。

    漏极开路:MOS管的栅极G和输入连接,源极S接公共端,漏极D悬空(开路)什么也没有接,直接输出 ,这时只能输出低电平和高阻态,不能输出高电平

    那么这个时候会出现三种情况:

    1. 图a为正常输出(内有上拉电阻):场效应管导通时,输出低电位输出低电位,截止时输出高电位。

    2. 图b为漏极开路输出,外接上拉电阻:场效应管导通时,驱动电流是从外部的VCC流经电阻通过MOSFET到GND,输出低电位,截止时输出高电位。

    3. 图c为漏极开路输出,无外接上拉电阻:场效应管导通时输出低电位,截止呈高阻态(断开)。

    总结:

    开漏输出只能输出低电平,不能输出高电平。漏极开路输出高电平时必须在输出端与正电源(VCC)间外接一个上拉电阻。否则只能输出高阻态。

    DS18B20 是单线通信,即接收和发送都是这个通信脚进行的。 其接收数据时为高电阻输入,其发送数据时是开漏输出,本身不具有输出高电平的能力,即输出0时通过MOS下拉为低电平,而输出1时,则为高阻,需要外接上拉电阻将其拉为高电平。 因此,需要外接上拉电阻,否则无法输出1。

    外接上拉电阻阻值:

    DS18B20的工作电流约为1mA,VCC一般为5V,则电阻R=5V/1mA=5KΩ,

    所以正常选择4.7K电阻,或者相近的电阻值。

    DS18B20寄生电源

    DSl8B20的另一个特点是不需要再外部供电下即可工作。当总线高电平时能量由单线上拉电阻经过DQ引脚获得。高电平同时充电一个内部电容,当总线低电平时由此电容供应能量。这种供电方法被称为“寄生电源”。另外一种选择是DSl8B20由接在VDD的外部电源供电

    DS18B20内部构成

    主要由以下3部分组成: 64 位ROM,高速暂存器,存储器

    64 位ROM存储独有的序列号

    ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同。这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。

    高速暂存器包含:

  • 温度传感器
  • 一个字节的温度上限和温度下限报警触发器(TH和TL)
  • 配置寄存器允许用户设定9位,10位,11位和12位的温度分辨率,分别对应着温度的分辨率为:0.5°C,0.25°C,0.125°C,0.0625°C,默认为12位分辨率,
  • 存储器:由一个高速的RAM和一个可擦除的EEPROM组成,EEPROM存储高温和低温触发器(TH和TL)以及配置寄存器的值,(就是存储低温和高温报警值以及温度分辨率)

    DS18B20高速缓存器

    高速暂存器由9个字节组成

  • 字节0~1 是温度存储器,用来存储转换好的温度。第0个字节存储温度低8位,第一个字节存储温度高8位
  • 字节2~3 是用户用来设置最高报警和最低报警值(TH和TL)。
  • 字节4 是配置寄存器,用来配置转换精度,可以设置为9~12 位。
  • 字节5~7 保留位。芯片内部使用
  • 字节8 CRC校验位。是64位ROM中的前56位编码的校验码。由CRC发生器产生。
  • DS18B20温度读取与计算

    DS18B20采用16位补码的形式来存储温度数据温度是摄氏度。当温度转换命令发布后,经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。

    高字节的五个S为符号位,温度为正值时S=1,温度为负值时S=0

    剩下的11位为温度数据位,对于12位分辨率,所有位全部有效,对于11位分辨率,位0(bit0)无定义,对于10位分辨率,位0和位1无定义,对于9位分辨率,位0,位1,和位2无定义

    对应的温度计算:


    当五个符号位S=0时,温度为正值,直接将后面的11位二进制转换为十进制,再乘以0.0625(12位分辨率),就可以得到温度值;

    当五个符号位S=1时,温度为负值,先将后面的11位二进制补码变为原码(符号位不变,数值位取反后加1),再计算十进制值。再乘以0.0625(12位分辨率),就可以得到温度值;

    例如:

    +125℃的数字输出07D0(00000111 11010000)
     
    转换成10进制是2000,对应摄氏度:0.0625×2000=125°C

    -55℃的数字输出为 FC90。
      
    首先取反,然后+1,转换成原码为:11111011 01101111
    数值位转换成10进制是870,对应摄氏度:-0.0625×870=-55°C


    代码:

    unsigned int Templ,Temp2,Temperature;  //Templ低八位,Temp2高八位
    unsigned char Minus Flag=0;  //负温度标志位
    
    if(Tenp2&0xFC)//判断符号位是否为1
    {
    	Minus Flag=l; //负温度标志位置1
    	Temperature=((Temp2<<8)|Temp1); //高八位第八位进行整合
    	Temperature=((Temperature)+1); //讲补码转换为原码,求反,补1
    	Temperature*=0.0625;//求出十进制
    }
    else   //温度为正值
    {
    	Minus Flag=0;  //负温度标志位置0
    	Temperature =((Temp2<<8) |Temp1)*0.0625;
    }
    

    配置寄存器

    在配置寄存器中,我们可以通过R0和R1设置DS18B20的转换分辨率,DS18B20在上电后默认R0=1和R1=1(12分辨率),寄存器中的第7位和第0位到4位保留给设备内部使用。

    单总线系统

    在每个DS18B20内部都有一个唯一的64位长的序列号,这个序列号值就存在DS18B20内部的ROM中。开始的8位是产品类型编码(DS18B20是28H),接着的48位是每个器件唯一的序号,最后的8位是CRC校验码。

    一线总线系统使用单总线主控来控制一个或多个从机设备。每个DS18B20都有独立唯一的64位-ID,此特性决定了它可以将任意多的DS18b20挂载到一根总线上,通过ROM搜索读取相应DS18B20的温度值。

    DS18B20工作步骤

    DS18B20的工作步骤可以分为三步:

    1.初始化DS18B20
    2.执行ROM指令
    3.执行DS18B20功能指令

    其中第二步执行ROM指令,也就是访问每个DS18B20,搜索64位序列号,读取匹配的序列号值,然后匹配对应的DS18B20,如果我们仅仅使用单个DS18B20,可以直接跳过ROM指令。而跳过ROM指令的字节是0xCC。

    1.初始化DS18B20

    任何器件想要使用,首先就是需要初始化,对于DS18B20单总线设备,首先初始化单总线为高电平,然后总线开始也需要检测这条总线上是否存在DS18B20这个器件。如果这条总线上存在DS18B20,总线会根据时序要求返回一个低电平脉冲,如果不存在的话,也就不会返回脉冲,即总线保持为高电平。

    初始化具体时序步骤如下:

  • 1.单片机拉低总线至少480us,产生复位脉冲,然后释放总线(拉高电平)。
  • 2.这时DS8B20检测到请求之后,会拉低信号,大约60~240us表示应答。
  • 3.DS8B20拉低电平的60~240us之间,单片机读取总线的电平,如果是低电平,那么表示初始化成功
  • 4.DS18B20拉低电平60~240us之后,会释放总线。

    代码如下:
  • /*****初始化DS18B20*****/
    unsigned int Init_DS18B20(void)
    {
      unsigned int x=0;
      DQ = 1;      //DQ复位
      delay(4);    //稍做延时
      DQ = 0;      //单片机将DQ拉低
      delay(60);   //精确延时,大于480us
      DQ = 1;      //拉高总线
      delay(8);
      x = DQ;      //稍做延时后,如果x=0则初始化成功,x=1则初始化失败
      delay(4);
      return x;
    }
    

    2.写时序

    总线控制器通过控制单总线高低电平持续时间从而把逻辑1或0写DS18B20中。每次只传输1位数据

    单片机想要给DS18B20写入一个0时,需要将单片机引脚拉低,保持低电平时间要在60~120us之间,然后释放总线
    单片机想要给DS18B20写入一个1时,需要将单片机引脚拉低,拉低时间需要大于1us,然后在15us内拉高总线.

    在写时序起始后15μs到60μs期间,DS18B20处于采样单总线电平状态。如果在此期间总线为高电平,则向DS18B20写入1;如果总线为低电平,则向DSl8B20写入0。

    注意:2次写周期之间至少间隔1us

    /*****写一个字节*****/
    void WriteOneChar(unsigned char dat)
    {
      unsigned char i=0;
      for (i=8; i>0; i--)
      {
        DQ = 0;
        DQ = dat&0x01;  //与1按位与运算,dat最低位为1时DQ总线为1,dat最低位为0时DQ总线为0
    	delay(4);
        DQ = 1;
        dat>>=1;
      }
      delay(4);
    }
    
    

    DS18B20写入的功能命令:

    ROM指令:

    采用多个DS18B20时,需要写ROM指令来控制总线上的某个DS18B20
    如果是单个DS18B20,直接写跳过ROM指令0xCC即可

    RAM指令,DS18B20的一些功能指令

    常用的是:

    温度转换 0x44

    开启温度读取转换,读取好的温度会存储在高速暂存器的第0个和第一个字节中

    读取温度 0xBE
    读取高速暂存器存储的数据

    读时序

    读时隙由主机拉低总线电平至少1μs然后再释放总线,读取DS18B20发送过来的1或者0

    DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后,便开始送出数据,若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。


    注意:所有读时隙必须至少需要60us,且在两次独立的时隙之间至少需要1ps的恢复时间

    同时注意:主机只有在发送读暂存器命令(0xBE)或读电源类型命令(0xB4)后,立即生成读时隙指令,DS18B20才能向主机传送数据。 也就是先发读取指令,再发送读时隙

    最后一点: 写时序注意是先写命令的低字节,比如写入跳过ROM指令0xCC(11001100),写的顺序是“零、零、壹、壹、零、零、壹、壹”,

    读时序时是先读低字节,在读高字节,也就是先读取高速暂存器的第0个字节(温度的低8位),在读取高速暂存器的第1个字节(温度的高8位) 我们正常使用DS18B20读取温度读取两个温度字节即可

    51例程

    sbit DQ=P1^0;	//定义DS18b20的管脚
    
    /*****延时子程序*****/
    void delay(unsigned int t)
    {
    	for(;t>0;t--);
    }
    
    
    /*****初始化DS18B20*****/
    unsigned char Init_DS18B20(void)
    {
      unsigned char x=0;
      DQ = 1;      //DQ复位
      delay(8);    //稍做延时
      DQ = 0;      //单片机将DQ拉低
      delay(80);   //精确延时,大于480us
      DQ = 1;      //拉高总线
      delay(8);
      x = DQ;      //稍做延时后,如果x=0则初始化成功,x=1则初始化失败
      delay(4);
      return x;
    }
    
    /*****读一个字节*****/
    unsigned char ReadOneChar(void)
    {
      unsigned char i=0;
      unsigned char dat = 0;
      for (i=8;i>0;i--)
      {
        DQ = 0;     // 给脉冲信号
        dat>>=1;
        DQ = 1;     // 给脉冲信号
        if(DQ)
        	dat|=0x80;
    	delay(4);
      }
      return(dat);
    }
    
    /*****写一个字节*****/
    void WriteOneChar(unsigned char dat)
    {
      unsigned char i=0;
      for (i=8; i>0; i--)
      {
        DQ = 0;
        DQ = dat&0x01;
    	delay(4);
        DQ = 1;
        dat>>=1;
      }
      delay(4);
    }
    
    /*****读取温度*****/
    int ReadTemperature(void)
    {
      	unsigned char a=0;
      	unsigned char b=0;
      	unsigned int t=0;
      	t=Init_DS18B20();
      	if(t) return Real_temp;
      	WriteOneChar(0xCC);  //跳过读序号列号的操作
      	WriteOneChar(0x44);  //启动温度转换
      	t=Init_DS18B20();
      	if(t) return Real_temp;
      	WriteOneChar(0xCC);  //跳过读序号列号的操作
      	WriteOneChar(0xBE);  //读取温度寄存器
      	a=ReadOneChar();     //读低8位
      	b=ReadOneChar();     //读高8位
      	t=b;
      	t<<=8;
      	t=t|a;
      	if(t<=0||t>0x900) 
    	return Real_temp;
    	t=t*0.625+0.5;
      	return(t);
    }
    
    

    STM32例程

    DS18B20.C

    #include "ds18b20.h"
    #include "delay.h"	
    
    //复位DS18B20
    void DS18B20_Rst(void)	   
    {                 
    	DS18B20_IO_OUT(); 	//SET PG11 OUTPUT
        DS18B20_DQ_OUT=0; 	//拉低DQ
        delay_us(750);    	//拉低750us
        DS18B20_DQ_OUT=1; 	//DQ=1 
    	delay_us(15);     	//15US
    }
    //等待DS18B20的回应
    //返回1:未检测到DS18B20的存在
    //返回0:存在
    u8 DS18B20_Check(void) 	   
    {   
    	u8 retry=0;
    	DS18B20_IO_IN();	//SET PG11 INPUT	 
        while (DS18B20_DQ_IN&&retry<200)
    	{
    		retry++;
    		delay_us(1);
    	};	 
    	if(retry>=200)return 1;
    	else retry=0;
        while (!DS18B20_DQ_IN&&retry<240)
    	{
    		retry++;
    		delay_us(1);
    	};
    	if(retry>=240)return 1;	    
    	return 0;
    }
    //从DS18B20读取一个位
    //返回值:1/0
    u8 DS18B20_Read_Bit(void) 	 
    {
        u8 data;
    	DS18B20_IO_OUT();	//SET PG11 OUTPUT
        DS18B20_DQ_OUT=0; 
    	delay_us(2);
        DS18B20_DQ_OUT=1; 
    	DS18B20_IO_IN();	//SET PG11 INPUT
    	delay_us(12);
    	if(DS18B20_DQ_IN)data=1;
        else data=0;	 
        delay_us(50);           
        return data;
    }
    //从DS18B20读取一个字节
    //返回值:读到的数据
    u8 DS18B20_Read_Byte(void)     
    {        
        u8 i,j,dat;
        dat=0;
    	for (i=1;i<=8;i++) 
    	{
            j=DS18B20_Read_Bit();
            dat=(j<<7)|(dat>>1);
        }						    
        return dat;
    }
    //写一个字节到DS18B20
    //dat:要写入的字节
    void DS18B20_Write_Byte(u8 dat)     
     {             
        u8 j;
        u8 testb;
    	DS18B20_IO_OUT();	//SET PG11 OUTPUT;
        for (j=1;j<=8;j++) 
    	{
            testb=dat&0x01;
            dat=dat>>1;
            if (testb) 
            {
                DS18B20_DQ_OUT=0;	// Write 1
                delay_us(2);                            
                DS18B20_DQ_OUT=1;
                delay_us(60);             
            }
            else 
            {
                DS18B20_DQ_OUT=0;	// Write 0
                delay_us(60);             
                DS18B20_DQ_OUT=1;
                delay_us(2);                          
            }
        }
    }
    //开始温度转换
    void DS18B20_Start(void) 
    {   						               
        DS18B20_Rst();	   
    	DS18B20_Check();	 
        DS18B20_Write_Byte(0xcc);	// skip rom
        DS18B20_Write_Byte(0x44);	// convert
    } 
    
    //初始化DS18B20的IO口 DQ 同时检测DS的存在
    //返回1:不存在
    //返回0:存在    	 
    u8 DS18B20_Init(void)
    {
     	GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;
     	
     	RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOG, ENABLE);	 //使能PORTG口时钟 
    	
     	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_11;				//PORTG.11 推挽输出
     	GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP; 		  
     	GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
     	GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
    
     	GPIO_SetBits(GPIOG,GPIO_Pin_11);    //输出1
    
    	DS18B20_Rst();
    
    	return DS18B20_Check();
    }  
    //从ds18b20得到温度值
    //精度:0.1C
    //返回值:温度值 (-550~1250) 
    short DS18B20_Get_Temp(void)
    {
        u8 temp;
        u8 TL,TH;
    	short tem;
        DS18B20_Start ();  			// ds1820 start convert
        DS18B20_Rst();
        DS18B20_Check();	 
        DS18B20_Write_Byte(0xcc);	// skip rom
        DS18B20_Write_Byte(0xbe);	// convert	    
        TL=DS18B20_Read_Byte(); 	// LSB   
        TH=DS18B20_Read_Byte(); 	// MSB  
    	    	  
        if(TH>7)
        {
            TH=~TH;
            TL=~TL; 
            temp=0;					//温度为负  
        }else temp=1;				//温度为正	  	  
        tem=TH; 					//获得高八位
        tem<<=8;    
        tem+=TL;					//获得底八位
        tem=(float)tem*0.625;		//转换     
    	if(temp)return tem; 		//返回温度值
    	else return -tem;    
    }
    
    
    

    DS18B20.H

    #ifndef __DS18B20_H
    #define __DS18B20_H 
    #include "sys.h"   
    
    //IO方向设置
    #define DS18B20_IO_IN()  {GPIOG->CRH&=0XFFFF0FFF;GPIOG->CRH|=8<<12;}
    #define DS18B20_IO_OUT() {GPIOG->CRH&=0XFFFF0FFF;GPIOG->CRH|=3<<12;}
    IO操作函数											   
    #define	DS18B20_DQ_OUT PGout(11) //数据端口	PA0 
    #define	DS18B20_DQ_IN  PGin(11)  //数据端口	PA0 
       	
    u8 DS18B20_Init(void);//初始化DS18B20
    short DS18B20_Get_Temp(void);//获取温度
    void DS18B20_Start(void);//开始温度转换
    void DS18B20_Write_Byte(u8 dat);//写入一个字节
    u8 DS18B20_Read_Byte(void);//读出一个字节
    u8 DS18B20_Read_Bit(void);//读出一个位
    u8 DS18B20_Check(void);//检测是否存在DS18B20
    void DS18B20_Rst(void);//复位DS18B20    
    #endif
    
    


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    物联沃-IOTWORD物联网 » DS18B20温度传感器:原理详解与实例程序代码

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